[16p-E206-1~17] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[16p-E206-13] Study of Domain Division Method for Simulation of Sensor Array

〇Kazuya Matsuzawa¹, Takahisa Tanaka^1,2, Ken Uchida^1,2 (1.TRDEC, Keio Univ., 2.E&E Eng., Keio Univ.)

Keywords:semiconductor, sensor, domain division method

半導体センサにおいて、３次元デバイス・シミュレーションを用いると、検出したい分子の電荷と構造による感度を、予測することができる。複数種類の分子の電荷と構造が、電気的特性に与える影響を解析するには、複数種類のセンサをアレイ状に配置する必要がある。このようなアレイ形状を３次元シミュレーションで解析するには、多くのメモリを必要とする。本報告では、解析領域を分割して、実用的なメモリ領域で、計算する技術を示す。