[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-P8-15] β-Ga₂O₃(-201)表面における窒化物成長の初期過程のナノレベル観察

〇陳 蕾¹、岡田 有史¹、Ferreyra Romualdo A.¹、上田 大助¹、角野 広平¹ (1.京工繊大工芸)

キーワード：酸化ガリウム、走査トンネル顕微鏡、表面窒化

Ga₂O₃は伝導帯の下端がGaNのそれと近いことが報告されている[1]．またβ-Ga₂O₃(-201)面は酸素が六方晶に近い配列を取っており，GaN(0001)と格子定数が近いため，欠陥が少なく平坦なGaNの成長が期待できる．しかしながら，この表面においてGaNがどのような初期過程を経て成長するのかは明らかではない．本研究では主として走査トンネル顕微鏡（STM）を用い，β-Ga₂O₃(-201)表面を窒化した場合の構造変化と，GaN成長初期のモルフォロジーとの関連について調べる．