[17a-301-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17a-301-12] TEOS-CVD-SiO₂膜の絶縁特性の基板効果

〇川村 浩晃¹、前田 貫太¹、蓮沼 隆¹、山部 紀久夫¹ (1.筑波大学)

キーワード：SiC、絶縁膜、TEOS -CVD

SiCの絶縁膜形成プロセスにおいて熱酸化初期では良好な界面が得られるとの報告もあるが、その場合膜厚の不足分を堆積膜で補う必要がある。そこで、我々はSiO₂堆積膜でTetraethoxysilane (TEOS)を用いたCVD膜について検討した。Si基板上TEOS-SiO₂膜については熱処理によって電気的に熱酸化SiO₂と同程度になることが報告されている。SiC基板上についても同様の熱処理効果があるかを検討した。熱処理の過程で引き起こされる熱酸化が信頼性に影響する可能性がある。