[17p-304-1~15] CS.2 6.1強誘電体薄膜,13.3絶縁膜技術,13.5デバイス／集積化技術のコードシェア

[17p-304-8] HfO₂系強誘電体薄膜の抗電界の特異な膜厚依存性

〇右田 真司¹、太田 裕之¹、山田 浩之¹、澤 彰仁¹、鳥海 明² (1.産総研、2.東大工)

キーワード：強誘電体、抗電界、HfO2

HfO2系強誘電体薄膜は抗電界が1 MV/cmと非常に大きいことが特徴とされる。本研究ではHf-Zr-Oの強誘電特性の膜厚依存性を調べ、通常の強誘電体の抗電界の振る舞いと比較した。その結果、HfO2系強誘電体の抗電界には通常の強誘電体に見られるような膜厚依存性が現れないことが分かった。この理由は、HfO2系強誘電体では薄膜中に小さなグレインとして強誘電相が存在しているためであると考えられる。