[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P3-2] サファイア基板上高品質GaN成長に向けたAlONバッファー層の物性評価

〇畑 泰希¹、山崎 隆弘¹、山根 悠介¹、熊倉 一英²、山本 秀樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.NTT 物性基礎研)

キーワード：MBE、GaN、AlON

我々は、MOVPE法において、サファイア基板上に窒化物半導体を成長する際にAlONバッファー層を用いる方法を開発した 。そして、RF-MBE法を用いたGaN層の成長においてもAlONバッファー層の有用性を示した 。しかしながら、GaN層の成長に対するAlONバッファー層の役割については、必ずしも明らかになってはいない。そこで、本研究では、バッファー層としての成長機構解明とGaN層の更なる品質向上に向けて、AlONバッファー層自体の物性評価を行ったので報告する。