11:30 〜 11:45 [20a-141-10] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiO2/SiC界面の特性評価 〇西村 辰彦1、中西 英俊1、川山 巌2、斗内 政吉2、細井 卓治3、志村 考功3、渡部 平司3 (1.SCREEN、2.阪大レーザー研、3.阪大院工)