09:15 〜 09:30 [19a-146-2] GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法の提案 〇清藤 泰旦1、牧繪 哲男1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大学、2.東京大学生産技術研究所)