14:00 〜 14:15 [20p-221C-2] 窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCウェハ中不純物のミリ秒高速活性化アニール 〇(M1)河崎 星輝1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院 先端研)