2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.7 レーザープロセシング

[18a-136-1~12] 3.7 レーザープロセシング

2018年9月18日(火) 09:00 〜 12:15 136 (3Fロビー)

佐藤 雄二(阪大)、宮川 鈴衣奈(名工大)

12:00 〜 12:15

[18a-136-12] レーザ焼結によるSnBi薄膜の作製とその応用

徳久 英雄1、森田 智子1、山本 典孝1 (1.産総研FLEC)

キーワード:レーザ焼結、低融点合金、Liイオン電池

本講演では、低温(200℃以下)で融解する低融点金属粉末SnBiを用いて、レーザ照射によるPEN上でのSnBi焼結層(膜厚:数~数十µm)の構造制御について報告する。さらに、得られたSnBi焼結層をイオン化ポテンシャルの差を利用することで多孔質なSnBi構造を生成することを見出している。その特異な多孔質性を応用する予備実験としてLiイオン電池性能について検討を行った。