[18p-143-1~15] 6.6 プローブ顕微鏡

△ [18p-143-8] 二重バイアス変調方式を用いた静電引力顕微鏡による∂ C/∂ Vの周波数応答測定

〇福澤 亮太¹、高橋 琢二^1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構)

キーワード：静電引力顕微鏡、周波数応答、空乏層容量

我々は，異なる周波数のバイアスを同時に印加する二重バイアス変調方式の静電引力顕微鏡を用いて∂ C/∂ Vを測定を行うことにより，周波数応答測定を試みた．実際にCIGS太陽電池材料上で周波数応答測定を行ったところ，周波数に応じたコントラストの変化が見られた．この手法により，従来のC-V測定に類似した評価が可能になると期待される．