[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-234B-9] 変調中間層による歪制御積層 InAs 量子ドット形状の変化

〇(M2)鈴木 幹人¹、下村 憲一¹、神谷 格¹ (1.豊田工大)

キーワード：InAs量子ドット、歪緩和、電子状態

我々は既に歪を制御し、常・低温で1.55µmより長波長で発光するGaAs基板上InAs QDの作製に成功したが、素子応用にはこの構造で、QD表面を覆うInGaAs薄膜の膜厚を増加させることが求められている。またQDの下地もGaAsからInGaAsとすることで、よりQD内の歪を緩和し発光波長を長波長化できることも報告したが、InGaAs層の導入の効果の詳細は、未解明な点が少なくない。今回、新たに変調中間層を導入した構造におけるQDの形状について報告する。