2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2018年9月18日(火) 13:15 〜 18:30 234B (234-2)

影山 健生(QDレーザ)、中尾 亮(NTT)、神谷 格(豊田工大)

15:30 〜 15:45

[18p-234B-9] 変調中間層による歪制御積層 InAs 量子ドット形状の変化

〇(M2)鈴木 幹人1、下村 憲一1、神谷 格1 (1.豊田工大)

キーワード:InAs量子ドット、歪緩和、電子状態

我々は既に歪を制御し、常・低温で1.55µmより長波長で発光するGaAs基板上InAs QDの作製に成功したが、素子応用にはこの構造で、QD表面を覆うInGaAs薄膜の膜厚を増加させることが求められている。またQDの下地もGaAsからInGaAsとすることで、よりQD内の歪を緩和し発光波長を長波長化できることも報告したが、InGaAs層の導入の効果の詳細は、未解明な点が少なくない。今回、新たに変調中間層を導入した構造におけるQDの形状について報告する。