[18p-PA5-1~28] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-PA5-15] 2端子4端子同時測定によるα-(BEDT-TTF)₂I₃相転移型トランジスタの動作解析

〇伊志嶺 洋人¹、上田 高寛¹、佐野 照輝¹、岡田 悠悟^1,2、山内 博¹、酒井 正俊¹、工藤 一浩¹ (1.千葉大院工、2.千葉大先進科学センター)

キーワード：強相関材料、相転移型トランジスタ、4端子測定

電界効果によるキャリア注入によって強相関材料の電子相を制御する相転移型トランジスタにおいて、巨大応答や高速動作が期待されている。そこで、135 Kで金属-絶縁体転移するa-(BEDT-TTF)₂I₃単結晶を用いてFETを作製し、2端子および4端子FET測定を同時に行った。4端子測定では相転移型トランジスタの特性が明確に観られる一方、2端子測定では、ゲート電圧変調の見え方が極端に悪い結果となった。従って、相転移型トランジスタの動作検証においては4端子測定が必須であることが確かめられた。