[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-26] GaN-MOSFETにおけるヒステリシス挙動の解析

〇上野 勝典¹、松山 秀昭¹、田中 亮¹、高島 信也¹、江戸 雅春¹、中川 清和² (1.富士電機（株）、2.山梨大)

キーワード：GaN、MOSFET、ヒステリシス

GaN系FETは絶縁ゲート駆動でノーマリーオフ型が望まれ、これらを実現可能なMOSチャネルの特性制御は重要な要素技術である。これまでにMOS界面の遷移層がMOSFETの移動度特性やヒステリシスと相関していることを報告した。ヒステリシスはデバイス動作上好ましくないため、今後の低減が必要である。今回はヒステリシスのゲートバイアス依存性によりその挙動を調べたので報告する。