[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18p-PA6-27] 1.2 kV級ノーマリーオフGaN-PSJ FET

〇伊佐 雄太¹、斉藤 武尊¹、中村 文彦¹、神山 祐輔¹、八木 修一¹、河合 弘治¹、田中 敦之²、本田 善央²、天野 浩² (1.パウデック、2.名大未来材料・システム研)

キーワード：リセス、再成長、2次元電子ガス

これまで分極超接合（PSJ）方式を用いたノーマリーオンGaNトランジスタ（FET）とダイオードの実証を行ってきた。今回、リセスゲート構造を採用しPSJ FETのノーマリーオフ化を検討したので報告する。試作したPSJ FETはノーマリーオフ特性を示し、ドレイン電圧1000Vでのスイッチングにおいて電流コラプスが抑制されていることが確認された。