[18p-PB3-1~95] 17 ナノカーボン（ポスター）

[18p-PB3-94] SAMゲート絶縁膜を用いたMoS₂ FETのチャネル移動度への影響

〇川那子 高暢¹、大場 智明¹、小田 俊理¹ (1.東工大量子ナノ研)

キーワード：自己組織化単分子膜、遷移金属ダイカルコゲナイド、電界効果トランジスタ