[19a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-146-2] GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法の提案

〇清藤 泰旦¹、牧繪 哲男¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大学、2.東京大学生産技術研究所)

キーワード：半導体

電気化学的手法を用いたGaNの陽極酸化と酸化物除去を組み合わせた2段階ウェットエッチング法というGaNの新規のエッチング方法を提案する。