[19a-224A-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19a-224A-7] ミストCVD法によるGaON薄膜の成膜

〇中村 昌幸¹、小林 貴之¹、立田 利明¹、本山 愼一¹ (1.サムコ)

キーワード：ミストCVD、半導体

ミストCVD法は原料が溶解または分散した溶液を超音波振動子等にてミスト化し、加熱した基板上に供給し、気化・成膜する手法である。これまでミストCVD法で成膜が報告されているのは酸化物薄膜がほとんどであるが、今回我々はGaCl₃とメラミンを用いて窒素を含むGaON膜の成膜をミストCVD法にて試みたので報告する。