2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[19a-311-1~12] 17.3 層状物質

2018年9月19日(水) 09:00 〜 12:15 311 (カスケード)

町田 友樹(東大)

11:45 〜 12:00

[19a-311-11] 層状物質 NbSe2劈開膜の微細加工が伝導特性に与える影響 I: 反応性イオンエッチング

〇(M2)星 直樹1、矢部 大輔1、友利 ひかり1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、神田 晶申1 (1.筑波大数理物質、2.物材機構)

キーワード:層状物質、カルコゲナイド

遷移金属ダイカルコゲナイドの一つで超伝導体である2セレン化ニオブ(NbSe2)の劈開膜に対して反応性イオンエッチング(RIE)を行った際の影響を電気伝導を通して調べた。室温抵抗率の大幅な上昇、超伝導転移温度の減少と転移幅の増大が見られたことから、RIEによってNbSe2薄膜に欠陥が導入されていることが示唆された。