[19p-131-1~15] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-131-11] SIMSによるSi結晶中の低炭素濃度測定

〇大渕 真澄¹、新宮 一恵¹、Wang Larry²、Zhao Peter²、Xu Man²、Guo Jing²、Lee Hang Dong^2,1 (1.ナノ サイエンス、2.EAG)

キーワード：シリコン、炭素不純物、SIMS

SIMSを用いたSi結晶中の炭素濃度測定について、従来までの要求より検出下限値の低い15乗atoms/cm³以下の測定が必要とされている。今回、SIMSによるラスター変化法を用いて検出下限の低減と、炭素濃度14乗atoms/cm³程度のFZ-Si試料について、繰り返し測定を検討した結果を報告する。