[19p-133-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19p-133-17] 強誘電体半導体ヘテロ接合における過渡的負性容量

〇(D)高田 賢志¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大院工)

キーワード：負性容量、強誘電体

近年、注目を集めている負性容量FETに関する実験的報告例が多くみられるが、その負性容量発現原理は十分に理解されていない。我々は、半導体からの減分極電界と、半導体と強誘電体の外部電界に対するキャパシタンスの非線形応答の効果により負性容量が発現することを報告している。本講演では、このメカニズムによって生じる負性容量効果が強誘電体/半導体ヘテロ接合における電気的挙動にどのような影響を与えるかを詳細に述べる。