[19p-146-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-146-21] X線ナノビームによる1-100反射を用いたGaNナノワイヤ側壁上m面Ga_1-xIn_xN/GaN量子井戸の構造評価

〇近藤 剣¹、清木 良麻¹、今井 康彦²、隅谷 和嗣²、木村 滋²、高木 健太¹、後藤 七美¹、市川 貴登¹、今井 大地¹、上山 智¹、宮嶋 孝夫¹ (1.名城大理工、2.高輝度光科学研究センター)

キーワード：窒化物半導体、ナノワイヤ、X線回折

窒化物半導体レーザの青・緑色光源としてGaNナノワイヤ側壁上にm面Ga_1-xIn_xN/GaN量子井戸を成長させるコアシェル活性層が注目されている。我々は大型放射光施設SPring-8のX線ナノビームを利用してX線回折測定を行い、量子井戸層の周期とIn組成の評価を報告してきたが、ここでは対称反射及び非対称反射のX線ナノビーム回折測定とともに3次元歪計算を加えることで，より精度の高い構造解析が可能となった。