[19p-221A-1~18] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[19p-221A-13] 酸化物VLS結晶成長における空間均一な不純物ドーピングの設計指針

Zhu Zetao¹、高橋 綱己¹、細見 拓郎¹、長島 一樹¹、〇柳田 剛¹ (1.九大先導研)

キーワード：酸化物ナノワイヤ

VLS結晶成長を介して形成される酸化物ナノワイヤ構造体において、不純物ドーピングを空間設計することは一般的に困難である。これは、(1)金属触媒の存在、(2)結晶成長に二つの異なる界面’(VSとLS)が介在していることに起因していると考えられている。特に、金属酸化物ナノワイヤにおいては、意図しない不純物ドーピングがVS界面を介して主に導入されていることが2017年にAnzaiらによって明らかにされている。更なる金属酸化物ナノワイヤの物性制御の為には、不純物ドーピングを設計する必要性があるが、現状ではその複雑な結晶成長プロセスの為に困難な状況にある。そこで、本発表ではVLS結晶成長プロセスを介して形成されるSnO₂ナノワイヤにSbを意図的に不純物ドーピングした系を取り上げ、その影響を系統的に検討した。