[19p-234B-1~19] 6.4 薄膜新材料

△ [19p-234B-16] 擬似ナノ液膜を介した気相エピタキシー法による SiC 薄膜成長

〇(D)山王堂 尚輝¹、大住 亜朱香¹、丸山 伸伍¹、松本 祐司¹ (1.東北大院工)

キーワード：パルスレーザー堆積、半導体、SiC

高温種基板上に結晶原料と液相成分を同時に供給することで、清浄真空環境中でのSiC薄膜液相成長を達成した。液相により低温度域で安定な3C-SiC相が支配的に成長し、多形選択性が向上した。