[19p-432-1~8] 3次元積層集積デバイスによる半導体集積回路技術の進展と展望

[19p-432-6] 自己スパッタ接合法を用いた常温によるSiO₂/Siウェハ直接接合

〇内海 淳¹ (1.三菱重工工作機械(株）)

キーワード：常温接合技術、SiO2、Si薄膜

表面活性化法を用いた常温接合技術は、様々な材料に適用することが可能であり、熱処理不要な優位性を有するが、SiO₂やガラスなど非結晶性材料の直接接合は難しい。そこで本研究では、Siウェハと酸化膜付Siウェハの組み合わせにおいて、ArプラズマによりSiウェハ表面のみをスパッタして活性化するのと同時に、スパッタされたSiで酸化膜付ウェハ表面に薄膜形成して両ウェハを常温で接合する方法を検討した。その結果、ブレード試験による接合強度評価では母材破壊が確認された。