講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-436-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2018年9月19日(水) 13:45 〜 18:45 436 (436)

鵜殿治彦(茨城大)、寺井慶和(九工大)、山口憲司(量研機構)、原康祐(山梨大)

14:15 〜 14:30

[19p-436-3] p型BaSi₂/n型結晶Siヘテロ接合形成におけるBaSi₂低速蒸着の効果

〇(M2)藤原道信¹、高橋一真¹、中川慶彦¹、後藤和泰¹、黒川康良¹、伊藤孝至¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工)

キーワード：シリサイド半導体、ヘテロ接合太陽電池、真空蒸着