[19p-CE-5~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-CE-12] Mg/Nイオン共注入と超高圧N₂活性化アニールを用いたGaNへのp型ドーピング

〇櫻井 秀樹^1,2,3、山田 真嗣^1,2,3、大森 雅登¹、古川 幸弘³、鈴木 英夫³、Boćkowski Michał^1,4、須田 淳^1,2、加地 徹¹ (1.名大 未来材料・システム研究所、2.名大院工、3.(株)アルバック 半電研、4.UNIPRESS)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、高圧アニール