[19p-CE-5~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-CE-14] 高温でイオン注入されたGaN基板のTEMによる欠陥評価(２)

〇前川 順子¹、川野輪 仁¹、青木 正彦¹、高廣 克己²、一色 俊之² (1.1.㈱イオンテクノセンター、2.2.京都工芸繊維大学)

キーワード：窒化ガリウム、高温イオン注入、RTA

最近，窒化ガリウム（GaN）におけるp型デバイスの研究開発において，高温でのMgイオン注入プロセスを利用した結果が報告されている。これまでに我々はGaN基板に高温でMgイオン注入を実施した場合の欠陥評価をTEM観察により実施してきた。今回，アニール前後の詳細なTEM観察によりGaN基板への注入によって生じた欠陥の変化を調べた結果を報告する。