[19p-CE-5~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-CE-15] 光熱偏向分光法によるMgイオン注入GaN層の評価

〇福田 清貴^1,2、高島 信也³、尾沼 猛儀²、山口 智広²、本田 徹²、上殿 明良⁴、角谷 正友¹ (1.物材機構、2.工学院大、3.富士電機、4.筑波大)

キーワード：窒化ガリウム、Mgイオン注入、光熱偏向分光法

Mgイオン注入を行ったGaNを光熱偏向分光法によって評価したので報告します。さらにMOCVDで成長したMgドープGaNやPLとの相関についても議論を行います。