[19p-PB1-1~37] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-PB1-28] Hf酸化物を用いた抵抗変化メモリの人工シナプス素子への応用検討

〇(M2)東 篤志¹、中島 諒¹、清水 智弘¹、伊藤 健¹、新宮原 正三¹ (1.関西大学大学院理工学研究科)

キーワード：抵抗変化メモリ、ハフニウム酸化物

抵抗変化メモリ(ReRAM)は金属酸化物を金属電極で挟み込んだ積層構造で構成されており,低消費電力,高速動作,微細化に優れた不揮発性メモリである.金属酸化物としてHfO₂を用いたReRAMは比較的安定なスイッチング特性を示している.近年はニューロモルフィック素子の開発が急速に進展しており,シナプス素子としてReRAMやPCRAMの応用が検討されている.そこで我々はHfO₂を用いたReRAM素子のシナプス素子応用を検討することとした.