[20a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-141-10] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiO₂/SiC界面の特性評価

〇西村 辰彦¹、中西 英俊¹、川山 巌²、斗内 政吉²、細井 卓治³、志村 考功³、渡部 平司³ (1.SCREEN、2.阪大レーザー研、3.阪大院工)

キーワード：炭化ケイ素、シリコンカーバイド、テラヘルツ波、THz波、SiO2/SiC界面

Laser Terahertz Emission Microscope (LTEM)を用いてSiO₂/SiC界面特性を評価した。C-V測定により界面準位密度が高いとされるサンプルでは、テラヘルツ(THz)波ピーク強度とゲート電圧の関係の傾きが小さくなる結果が得られた。LTEMは原理的に界面電場に対して感度が高く、SiO₂/SiC界面準位密度の新たな評価手法となりうる可能性を示した。