[20a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-141-13] 4H-SiC Trench MOSFETs による短チャネル効果の抑制効果

〇石井 友康¹、黒木 伸一郎¹、瀬崎 洋²、石川 誠治²、前田 智徳²、牧野 高紘³、大島 武³、Ostling Mikael⁴、Zetterling Carl-Mikael⁴ (1.広島大学ナノデバイス、2.フェニテック、3.QST、4.KTH)

キーワード：シリコンカーバイト、短チャネル効果