[20a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-141-9] 電流検出型電子スピン共鳴による(000-1)4H-SiC/SiO₂界面炭素ダングリングボンドの検出

〇鹿児山 陽平¹、染谷 満²、原田 信介²、畠山 哲夫²、梅田 享英¹ (1.筑波大数理、2.産総研)

キーワード：4H-SiC、MOS界面、電子スピン共鳴

nチャネル4H-SiC C面MOSFETをウェット酸化で作製、メタルシンタリングアニールを水素を含まない雰囲気（N2）で行ったところ、電気特性に劣化が確認された。この試料に対し電流検出型電子スピン共鳴を用いて評価を行ったところ、複数の信号が検出された。解析をしたところ、信号の一つは炭素ダングリングボンドであることがわかった。ただし、過去に界面報告されているP_bCという4H-SiC/SiO₂の炭素ダングリングボンドとは構造が異なっている。