[20a-141-1~13] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20a-141-10] Evaluation of SiO₂/SiC interface using a Laser Terahertz Emission Microscope

〇Tatsuhiko Nishimura¹, Hidetoshi Nakanishi¹, Iwao Kawayama², Masayoshi Tonouchi², Takuji Hosoi³, Takayoshi Shimura³, Heiji Watanabe³ (1.SCREEN, 2.ILE, Osaka Univ., 3.Graduate School of Eng., Osaka Univ.)

Keywords:SiC, Silicon Carbide, Terahertz Wave, SiO2/SiC interface

Laser Terahertz Emission Microscope (LTEM)を用いてSiO₂/SiC界面特性を評価した。C-V測定により界面準位密度が高いとされるサンプルでは、テラヘルツ(THz)波ピーク強度とゲート電圧の関係の傾きが小さくなる結果が得られた。LTEMは原理的に界面電場に対して感度が高く、SiO₂/SiC界面準位密度の新たな評価手法となりうる可能性を示した。