[20a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-146-8] Eu添加GaN多層構造を利用したGaN結晶中の転位低減

〇市川 修平¹、朱 婉新¹、森川 隆哉¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、希土類元素、有機金属気相成長

我々はこれまでに、有機金属気相成長法(organometallic vapor phase epitaxy: OMVPE)により希土類元素のEuをGaN結晶中にin-situ添加し(GaN:Eu)、これを活性層とした赤色LEDを実現してきた。本研究ではEuのin-situ添加手法を利用して、GaN:Eu層とアンドープGaN層(ud-GaN)を交互に積層した構造を多層的に作製することで、GaN結晶中の貫通転位密度の低減に効果があることを見出したので報告する。