[20a-234A-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-234A-1] 低膜厚 (< 50 nm) 錫添加 In₂O₃ 非晶質膜における高ホール移動度

〇古林 寛¹、北見 尚久^1,2、酒見 俊之²、木下 公男²、前原 誠²、牧野 久雄¹、山本 哲也¹ (1.高知工科大総研、2.住友重機械)

キーワード：透明導電膜、酸化インジウム、移動度

錫添加 In₂O₃ (ITO) は優れた光学的透明性と電気伝導性を有し、資源問題を抱えつつも透明導電膜として最も広く用いられている。In₂O₃ は高ホール移動度が実現しやすい系ではあるが、これまで In₂O₃ 系薄膜において高移動度が実現出来ているのは 100 nm 以上の高膜厚もしくは高基板温度であることが多く、低温プロセスかつ 50 nm 以下の低膜厚領域における結果は殆ど見られない。本研究では、高品質な薄膜が高速で得られる反応性プラズマ蒸着 (RPD) 法を用いることにより、40 nm 以下の ITO 非晶質膜にて 54 cm²/Vs の高移動度を達成した。