[20p-136-1~11] 13.9 化合物太陽電池

△ [20p-136-2] 表面活性化接合及び犠牲層エッチングによるGaAs/Si 2接合太陽電池の作製

〇(M1)小園 亮¹、尹 翔至¹、梁 剣波¹、重川 直輝¹ (1.大阪市大院工)

キーワード：表面活性化接合、犠牲層エッチング、多接合太陽電池

本研究ではGaAs単接合エピ基板とSi pn接合基板を接合後に犠牲層エッチングを用いてGaAs基板の分離に成功するとともにGaAs/Si 2接合太陽電池の作製に成功した。更にGaAs、Siの両サブセルが機能している事を実証したとともに比較用として従来方法である研磨とウエットエッチングによりGaAs基板を除去した試料との特性に大差はみられなかった。