[20p-136-1~11] 13.9 Compound solar cells

△ [20p-136-1] HAXPES measurements of GaAs thin film//ITO interfaces for GaAs//ITO/Si junctions.

〇(M2)Tomoya Hara¹, Jianbo Liang¹, Kenji Araki², Takefumi Kamioka², Hassanet Sodabanlu³, Kentaro Watanabe³, Masakazu Sugiyama³, Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.Toyota Technol Inst., 3.Univ. of Tokyo)

Keywords:Surface-activated bonding, Hard X-ray photoemission spectroscopy, indium tin oxide

本研究では、GaAs薄層//ITO界面の硬X線分光(HAXPES)により熱処理による界面の結合状態の変化を評価した。Ga 2p_3/2 光電子スペクトルからGa-AsメインピークとGa-Oピークが観察され、400°Cの熱処理によりGa-O/Ga-As強度比が増加した。この結果からGaAs//ITO界面において熱処理後GaAsの酸化が進んでいると判断され、既に報告したGaAs//ITO/Si接合の界面抵抗の増加は界面の酸化による影響であることが考えられる。