[20p-234B-1~17] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [20p-234B-12] 横型Siナノワイヤ熱電変換デバイスの熱エンジニアリング

〇(PC)富田 基裕¹、熊田 剛大¹、島 圭佑¹、詹 天卓¹、張 慧^1,2、松川 貴³、松木 武雄^1,3、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.群馬大学、3.産総研)

キーワード：半導体、熱電変換、熱エンジニアリング

SOI上にSiナノワイヤ(NW)を空中架橋せず直接置いた熱電発電素子について、基板厚や基板材料の熱伝導率によりSiNWにかかる温度差がどう変化するか明らかにするため、有限要素計算による熱解析を行い、等価回路モデルを作成した。基板の熱伝導率を低減することでNW温度差は上昇する。SiO₂絶縁層は温度差維持のためにサブµmの膜厚が必須である。等価回路モデルによりこれらの傾向が再現可能である。