[20p-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-331-5] Si基板上縦型GaN p-nダイオードの破壊電圧に対するSLS層の影響

〇(M1)鳥居 直生¹、Debaleen Biswas¹、山本 圭司¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：半導体

GaNデバイスはバンドギャップが大きく、破壊電界が高く、熱導電性がよく、プロセス適合性も高いためパワーデバイスや高速スイッチングの材料として期待されている。我々の研究グループは導電性n⁺-SLS層を用いたSi基板上のGaN縦型ダイオードの作製に成功し、SLS層の一部を低ドープ化することでドリフト層として利用することで破壊電圧を大きくすることに成功した。今回は低ドープ化したSLS層の厚さと破壊電界の関係について調査した。