[20p-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-331-8] 光電気化学(PEC)エッチングによるメサ構造GaN p-n接合ダイオード

〇太田 博¹、浅井 直美¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、三島 友義¹ (1.法政大学、2.サイオクス)

キーワード：窒化物半導体、光電気化学エッチング、ダイオード

光電気化学（PEC）エッチングを初めてメサ構造を有する高耐圧GaN p-n接合ダイオードに適用した。平坦性良いエッチング面が得られ、低温でのフォトルミネッセンス評価から従来のドライエッチのようなダメージもないことが示された。また、逆方向耐圧の改善と大幅な素子間ばらつきの低減が可能となった。