2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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特別シンポジウム

特別シンポジウム » GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学

[20p-CE-1~9] GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学

2018年9月20日(木) 13:30 〜 17:45 CE (センチュリーホール)

渡部 平司(阪大)、白石 賢二(名大)

14:15 〜 14:45

[20p-CE-3] MOVPE窒素極性成長による窒化物半導体の新展開

松岡 隆志1、窪谷 茂幸1、谷川 智之1、加納 聖也2 (1.東北大学 金研、2.日亜化学工業㈱)

キーワード:窒化物半導体、窒素極性、有機金属気相成長