[21a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-141-2] 4H-SiCエピタキシャル成長層におけるPLイメージングと分光スペクトル測定による部分転位の解析

〇西尾 譲司¹、櫛部 光弘¹、岡田 葵¹、太田 千春¹ (1.（株）東芝)

キーワード：PLイメージング、分光スペクトル測定、部分転位

波長域の異なるバンドパスフィルタを用いることで、4H-SiCエピ層のPLイメージングによってSiコア部分転位とCコア部分転位を同定することができた。また、スペクトル測定では、Siコア部分転位のピーク波長は680-690nm程度であったが、曲線形状のCコア部分転位は920-950nm程度の弱い励起強度依存性を示す一方で、直性形状のものは変化が大きく、また依存性に個体差があることが分かった。