[21a-221A-1~8] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [21a-221A-5] ダブルゲートFe-MgF₂単電子トランジスタの作製と評価

〇瘧師 貴幸¹、浅井 佑基¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：単電子トランジスタ、グラニュラー膜、ナノギャップ

単電子トランジスタ(single-electron transistor, SET)は、高機能かつ低消費電力デバイスとして期待されている。本研究では、FeナノドットがMgF₂中に分散したグラニュラー膜を用いたSETを、報告例の少ないトップゲートとバックゲート(Si基板)を併用することで特性評価を行った。その結果、上下のゲートを併用することで、効果的にクーロン振動を観測できると分かった。従って、ダブルゲートSETが、更なる高機能化の可能性を持つことを示した。