2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-222-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年9月21日(金) 09:00 〜 12:00 222 (222)

奥村 英之(京大)、坂間 弘(上智大)

09:15 〜 09:30

[21a-222-2] ZnO薄膜に対する重水素イオンビーム照射による巨大同位体効果の観測

中山 亮1、前里 光彦2、有田 誠3、中西 寛4,5、北川 宏2 (1.東工大物質理工、2.京大院理、3.九大院工、4.明石高専、5.阪大院工)

キーワード:酸化亜鉛、水素、薄膜

水素は電子系との相互作用が大きいことから、水素の導入は既存の物質の性質を劇的に変える可能性を秘めている。そこで、我々はあらゆる物質に自在に水素を導入できる手法として水素イオンビーム照射に着目した。本研究では、我々が開発した装置を用いて、酸化亜鉛薄膜に対する低温での重水素イオンビーム照射による電気伝導度の巨大同位体効果を観測することに成功したのでこれを報告する。