[21a-222-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-222-9] 立方晶ペロブスカイト酸化物群から見いだした特異なナローバンドギャップ(~4 eV)を有するシリケート: BaSiO₃

〇平松 秀典^1,2、遊佐 斉³、五十嵐 涼¹、大石 泰生⁴、神谷 利夫^1,2、細野 秀雄^1,2 (1.東工大フロンティア研、2.東工大元素戦略研、3.物材機構、4.高輝度光科学研究センター)

キーワード：酸化物半導体、混成汎関数、シリコン基酸化物

仮想化合物を含む35種類の立方晶ペロブスカイト型酸化物の電子構造を第一原理計算によって網羅的に計算し、BaSiO₃がシリケートとしては非常に小さいバンドギャップ（約4 eV）を有し、電子の有効質量も0.3m_eと小さいことを見いだした。さらに、これまで未報告だったBaSiO₃の立方晶相が実在することを、高圧下in-situ XRD測定により実験的に実証した。