[21a-233-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21a-233-2] SiH₂Cl₂-SiH_x-H₂系によるシリコン薄膜成長速度増大方法

〇室井 光子¹、山田 彩未¹、羽深 等¹ (1.横国大院工)

キーワード：Si エピ成長、成長速度、反応機構

省電力化に伴い、太陽電池等に使用されているシリコン(Si)エピタキシャル薄膜の需要が増え、 その生産量を増やすために、製膜速度を上げることが望まれている。その際には、原料であるジクロロシラン(SiH₂Cl₂, DCS)濃度を増大させると、ラングミュア型表面反応機構が原因となって製膜速度が飽和するという課題がある。その解決のため本研究では、主原料であるDCSガスにSiH_x ガスを混合させることにより製膜速度が増大することを検 討する。