[21a-233-1~12] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[21a-233-8] Characterization of the minimal CVD tool in the hydrodynamic point of view II

〇Yuuki Ishida^1,2, Noriko MIura², Shinichi Ikeda^1,2, Takahiro Ito³, Hitoshi Habuka⁴, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.ORIENTAL MOTOR, 4.Yokohama Nat. Univ.)

Keywords:Minimal, CVD, Epitaxial growth

低レイノルズ数領域でのCVDプロセスをシミュレーションにより研究した。低レイノルズ数領域では、系への擾乱によって発生する渦が安定して存在できるが、この渦が内部構造の非対称性によって生じる圧力分布によって動くことで、基板上のガス流に偏りが生じることを明らかにした。