[21a-CE-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [21a-CE-1] Si-p/n接合のトンネル電流に対する不純物の効果；理論的検討

〇(M1)趙 祥勲¹、飯塚 将太²、中山 隆史¹ (1.千葉大理、2.NIMS)

キーワード：トンネル電界効果トランジスタ、シリコン、p/n接合