[21a-CE-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[21a-CE-3] 積層型トンネルFETの電気特性に与えるチャネル厚さ揺らぎの影響

〇加藤 公彦¹、松井 裕章¹、田畑 仁¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：トンネルFET、積層型、膜厚揺らぎ

超低消費電力なスイッチング素子として着目される量子トンネル電界効果トランジスタ（TFET）の高性能化に向け、我々は酸化物半導体とIV族半導体を積層させたbilayer TFETを提案している。本研究では、酸化物半導体チャネル層の厚さ揺らぎがbilayer TFETの電気的特性に与える影響をTCADシミュレーションにより調査した。Bilayer TFETのサブスレショルド特性の向上には、チャネル層の均一性向上に加え、EOTスケーリングも有効であることが明らかとなった。