2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21p-135-1~16] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2018年9月21日(金) 13:00 〜 17:15 135 (135)

上野 智雄(農工大)、嵯峨 幸一郎(ソニー)

16:45 〜 17:00

[21p-135-15] ダイシングの切削部水流の可視化について

〇(M2)牛島 大介1、甲斐 春貴1、久保田 弘1、橋新 剛1、吉岡 昌雄1 (1.熊本大自)

キーワード:半導体、シミュレーション

半導体製造工程において、ダイシング工程と呼ばれるダイヤモンドブレードを用いてウェーハを切断する工程がある。 ダイシング工程では、ウェーハを切断する際に水および切削屑が飛散する。 飛散した切削屑が排気ダクトに吸い込まれることなく、ウエハに付着して機能素子部分を汚染することを防ぐために、本研究ではシミュレーションによって汚染を防止する条件を把握することを目的とする。